| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
RSH090N03TB1 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Rohm Semiconductor | 10158 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
|
|
RSH090N03TB1参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 30V 9A SOP8 包装数量：1 包装形式：剪切带 (CT) FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：810pF @ 10V 功率 - 最大值：2W 安装类型：表面贴装 |
|||||
热门型号： PMIC - 电源PACVGA201QR 通孔电阻器RNF14BTD4K53 PMIC - 电源TPS2058DG4 接线座 - 接头，1762222001 晶体ECS-110.5-20-7SX-TR 固定式AISC-1210HS-220K-T2 圆形KPSE06F12-3SA71 评估演示板和套件DV2002L2 FETAPTM50HM75STG 薄膜电容器EEC2E805HWNM11 |
|||||